隨著800V高壓(ya)快充(chong)車(che)型的放量，充(chong)電(dian)樁(zhuang)需要從功(gong)率(lv)、散熱和安全三個(ge)維度進行(xing)技術(shu)升級。其中，功(gong)率(lv)器件(jian)升級以及(ji)由此產生(sheng)的散熱等安全問題，是(shi)保障安全使用的重中之(zhi)重。
根據中銀證券(quan)研(yan)究報告，充電模塊(kuai)是充電樁的(de)核心部件(jian)，在直流(liu)充電樁的(de)成本(ben)構成中，充電模塊(kuai)的(de)占比達到41%，其次為(wei)充電器(線)占比21%。充電模塊(kuai)中，又(you)以功(gong)率器件(jian)占比最高，功(gong)率器件(jian)的(de)作用主要是用來實(shi)現電能轉(zhuan)換和電路控制。
中銀(yin)證(zheng)券表示(shi)，由(you)于電(dian)(dian)機控制器會在直流母線電(dian)(dian)壓(ya)(ya)基(ji)礎上產生電(dian)(dian)壓(ya)(ya)浮動，當直流母線電(dian)(dian)壓(ya)(ya)提升(sheng)到800V，對應的(de)功(gong)率器件耐壓(ya)(ya)水(shui)平需提高至1200V左右。目前，主流的(de)硅（Si）基(ji)IGBT耐壓(ya)(ya)等(deng)級在600-750V。因此，在800V電(dian)(dian)壓(ya)(ya)平臺下，原來400V平臺的(de)硅基(ji)IGBT將不(bu)再(zai)適用高電(dian)(dian)壓(ya)(ya)路線。
隨著(zhu)大(da)功率充電樁滲(shen)透率提升，替(ti)換大(da)功率器(qi)件(jian)(jian)成為(wei)必然。而相比硅(gui)（Si）基IGBT，碳化硅(gui)（Sic）MOSFET 具有高(gao)耐壓、低導(dao)通電阻、耐高(gao)頻和耐高(gao)溫的(de)特(te)性，可以(yi)有效(xiao)(xiao)提高(gao)電機的(de)轉(zhuan)換效(xiao)(xiao)率和動(dong)力(li)輸出，保證(zheng)電機的(de)高(gao)效(xiao)(xiao)穩(wen)定運行，正成為(wei)大(da)功率充電的(de)核(he)心器(qi)件(jian)(jian)。
同時，根(gen)據焦耳定(ding)律，當電(dian)流每提(ti)升1倍，發(fa)熱(re)量便會(hui)增大(da)4倍。因(yin)此，采用大(da)電(dian)流快(kuai)充會(hui)帶來較多的(de)發(fa)熱(re)，也(ye)對散(san)熱(re)提(ti)出(chu)了(le)較高(gao)(gao)要求，需要更高(gao)(gao)效(xiao)的(de)散(san)熱(re)機制。根(gen)據西部證券研究報告，目前，液(ye)(ye)冷(leng)技術正快(kuai)速成為大(da)功(gong)率充電(dian)樁的(de)主流散(san)熱(re)解決方案。與傳統直(zhi)流充電(dian)槍相比，液(ye)(ye)冷(leng)槍線可以通過循環冷(leng)卻液(ye)(ye)將熱(re)量快(kuai)速導(dao)出(chu)，從而使槍線可以承(cheng)受較高(gao)(gao)電(dian)流。
數(shu)據顯示，普通直流(liu)充電(dian)槍最(zui)大(da)承受(shou)電(dian)壓為1000V，最(zui)大(da)承受(shou)電(dian)流(liu)為250A，即(ji)最(zui)大(da)輸出功(gong)率250KW；相比之下，大(da)功(gong)率液冷充電(dian)槍最(zui)大(da)承受(shou)電(dian)壓1000V，最(zui)大(da)承受(shou)電(dian)流(liu)為800A，即(ji)最(zui)大(da)輸出功(gong)率達800KW。
中信證券(quan)認為，充電(dian)樁更新(xin)升(sheng)級將拉(la)動相(xiang)關配套零(ling)部件(jian)的(de)迭代需求以及價值量提(ti)升(sheng)，打開遠期成長(chang)空(kong)間(jian)。根據中信證券(quan)預計(ji)，到2027年，充電(dian)模塊市場空(kong)間(jian)將達(da)347億元，年化(hua)復合增長(chang)率超過40%，其中功率器件(jian)市場空(kong)間(jian)有望達(da)104億元。
